日前,tem和sem成像区别的话题受人关注,并且与之相关的tem与sem在成像原理上有何关系同样热度很高。今天,康晓百科便跟大家说一说这方面的相关话题。

tem和sem成像区别(tem与sem在成像原理上有何关系)

导读目录如下:

sem和tem区别?

透射电镜(TEM)的放大倍数要比扫描电镜(SEM)的高,当然两则的成像原理也是不同的,如果需要观察纳米颗粒在聚合物中的分散情况,你就必须要用TEM来观察了,SEM通常看材料的缺口断面,当然还有许多其他应用.\\x0dSEM是电子束激发出表面次级电子,而TEM是穿透试样,而电子束穿透能力很弱,所以TEM样品要求很薄,只有几十nm, TEM一般放大能达几百w倍,而SEM只有几万倍.

stem是什么电镜?

stem是扫描透射电子显微镜。

扫描透射电子显微镜(scanning tran *** ission electron microscopy,STEM)既有透射电子显微镜又有扫描电子显微镜的显微镜。STEM用电子束在样品的表面扫描,通过电子穿透样品成像。STEM技术要求较高,要非常高的真空度,并且电子学系统比TEM和SEM都要复杂。

洛伦兹电镜和透射电子显微镜区别?

结构差异:

主要体现在样品在电子束光路中的位置不同。透射电镜的样品在电子束中间,电子源在样品上方发射电子,经过聚光镜,然后穿透样品后,有后续的电磁透镜继续放大电子光束,最后投影在荧光屏幕上;扫描电镜的样品在电子束末端,电子源在样品上方发射的电子束,经过几级电磁透镜缩小,到达样品。当然后续的信号探侧处理系统的结构也会不同,但从基本物理原理上讲没什么实质性差别。

基本工作原理:

透射电镜:电子束在穿过样品时,会和样品中的原子发生散射,样品上某一点同时穿过的电子方向是不同,这样品上的这一点在物镜1-2倍焦距之间,这些电子通过过物镜放大后重新汇聚,形成该点一个放大的实像,这个和凸透镜成像原理相同。这里边有个反差形成机制理论比较深就不讲,但可以这么想象,如果样品内部是绝对均匀的物质,没有晶界,没有原子晶格结构,那么放大的图像也不会有任何反差,事实上这种物质不存在,所以才会有这种仪器存在的理由。

扫描电镜:电子束到达样品,激发样品中的二次电子,二次电子被探测器接收,通过信号处理并调制显示器上一个像素发光,由于电子束斑直径是纳米级别,而显示器的像素是100微米以上,这个100微米以上像素所发出的光,就代表样品上被电子束激发的区域所发出的光。实现样品上这个物点的放大。如果让电子束在样品的一定区域做光栅扫描,并且从几何排列上一一对应调制显示器的像素的亮度,便实现这个样品区域的放大成像。

对样品要求

(1)扫描电镜

SEM制样对样品的厚度没有特殊要求,可以采用切、磨、抛光或解理等方法将特定剖面呈现出来,从而转化为可以观察的表面。这样的表面如果直接观察,看到的只有表面加工损伤,一般要利用不同的化学溶液进行择优腐蚀,才能产生有利于观察的衬度。不过腐蚀会使样品失去原结构的部分真实情况,同时引入部分人为的干扰,对样品中厚度极小的薄层来说,造成的误差更大。

(2)透射电镜

由于TEM得到的显微图像的质量强烈依赖于样品的厚度,因此样品观测部位要非常的薄,例如存储器器件的TEM样品一般只能有10~100nm的厚度,这给TEM制样带来很大的难度。初学者在制样过程中用手工或者机械控制磨制的成品率不高,一旦过度削磨则使该样品报废。TEM制样的另一个问题是观测点的定位,一般的制样只能获得10mm量级的薄的观测范围,这在需要精确定位分析的时候,目标往往落在观测范围之外。目前比较理想的解决方法是通过聚焦离子束刻蚀(FIB)来进行精细加工。

扩展资料:透射电子显微镜的成像原理 可分为三种情况:

(1)吸收像:当电子射到质量、密度大的样品时,主要的成相作用是散射作用。样品上质量厚度大的地方对电子的散射角大,通过的电子较少,像的亮度较暗。早期的透射电子显微镜都是基于这种原理。

(2)衍射像:电子束被样品衍射后,样品不同位置的衍射波振幅分布对应于样品中晶体各部分不同的衍射能力,当出现晶体缺陷时,缺陷部分的衍射能力与完整区域不同,从而使衍射波的振幅分布不均匀,反映出晶体缺陷的分布。

(3)相位像:当样品薄至100?以下时,电子可以穿过样品,波的振幅变化可以忽略,成像来自于相位的变化。

哪些物理表征方法可以表征催化剂的分散性和粒径大小?

物理性质:可以通过氮气物理吸附得知催化剂的孔道结构及孔分布;通过XRD知道催化剂的晶型;TEM,SEM了解到催化剂的形貌

化学性质:通过ICP了解催化剂的元素组成;NH3-TPD了解催化剂的酸量;红外吡啶吸附了解催化剂的酸种类;

chart table 和figure的区别?

table和figure的区别为:意思不同、用法不同、侧重点不同。

一、意思不同

table:table是表格。

figure:figure是图。

二、用法不同

table:科技研究资料经过整理和计算各种必要的统计指标后,所得的结果除了使用统计表进行表达分析。统计表主要以列的形式展示分析结果,具有避免冗繁文字叙述,便于阅读、分析比较等优求内容简明,重点突出,能正确表达。

figure:figure一般是测得的谱线图、拍下的图片等。多指一些谱图,如TEM/SEM等拍摄的片子,或者,比如描述晶体生长过程的晶化曲线等曲线图,一般通过origin、diamond等绘图得到。

三、侧重点不同

table:涵义更为抽象,主要用于说明各种事物之间存在的函数关系。

figure:用于对比,饼图、条形图、曲线图。

请问一下材料物理和微电子哪个好就业~?

总体来说吧,微电子学专业相对材料物理专业就业要好点。微电子学与固体电子学主要利用材料开发应用于微固电子学领域器件系统工艺等。或者也可以叫tcad属于EDA电子设计自动化范围。材料科学与工程比较广,有做理论的,之一性原理DFT,量子化学,多体理论,也有做实验的,EBSD,TEM,SEM,FTIR,也有做计算的,计算材料学,材料设计,这个和微固电子学比较接近。至于向金属材料,非金属材料,无机非金属材料,复合材料,生物材料,电子磁光子材料,超材料都是面向不同领域的应用方向。

材料研发新材料如纳米,碳纳米管,微电子学方向用它来做器件,比如碳纳米晶体管,忆组器等。就当前来说,企业对微电子学需求旺盛,材料领域主要是周期过长,大部分企业在此领域投资不足。也没有绝对的好坏。只要按照自己兴趣爱好,职业规划做出适合自己的选择就行。

目前看材料物理专业就业也挺乐观的,但一般来说,本科的话真的不太好就业,因为普通才来、通用、常用材料技术已经基本成熟,生产厂家也有相对应的技术支持,但若能到研究生、博士的话,进科研所、高端材料生产企业还是前途无量的。

材料物理专业就业方向包括物理或材料相关的企业、事业、技术和行政管理部门从事应用研究、科技开发、生产技术和管理工作。

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